Поставка монокристаллической кремниевой подложки типа N/P для инфракрасных оптических материалов.

Продукты

Поставка монокристаллической кремниевой подложки типа N/P для инфракрасных оптических материалов.

Поставка монокристаллической кремниевой подложки типа N/P для инфракрасных оптических материалов.

Индивидуальная кремниевая пластина из монокристалла Si. Тип подложки N/P. Дополнительная кремниевая пластина. 1. Что так

Отправьте запрос

ОПИСАНИЕ

Базовая информация
Модель №.FW-LN
Технология изготовленияОптоэлектронный полупроводник
МатериалСложные полупроводники
ВведитеСобственный полупроводник
УпаковкаСМД
Обработка сигналаАналого-цифровой состав и функции
ПриложениеВЕЛ
Модель1324
Серийный номерПолированный
МаркеФайнвен
Метод ростаЧехия и ФЗ
ориентация111 или 100
Сопротивление0,0005 до 150
поверхностьПолировка с обеих сторон или полировка с одной стороны
присадкаN-тип и P-тип
Частица<30 bei 0,3 um
Книга< 30 Ähm
ТТВ<15 Ähm
Транспортный пакетЯщик
Спецификацияиндивидуальный размер
товарный знакFW-вафля
ИсточникЦзяоцзо Хэнань
Производственная мощность100 000 штук/месяц
Описание продукта

Монокристаллическая кремниевая пластина по индивидуальному заказу, кремниевая подложка типа N/P, дополнительная кремниевая пластина


1. Что такое пластины оксида кремния и их применение:
Пластина термодиоксида кремния представляет собой термический рост однородной диэлектрической пленки на поверхности кремниевой пластины, используемой в качестве изоляционного или маскирующего материала. Процесс окисления включает сухое кислородное окисление при высокой температуре и влажное кислородное окисление при высокой температуре.

Supply Single Crystal Silicon Wafer Si Substrate Type N/P for Infrared Optical Materials

Supply Single Crystal Silicon Wafer Si Substrate Type N/P for Infrared Optical Materials


2. Описание продукта

Наименование товара

CZ и FZ Полированная кремниевая пластина

Материал

кремний

диаметр

150 мм

Чистота поверхности

ССП

ориентация

Нет запроса

Град

Никто

Введите

Никто

Сопротивление

Никто

толщина

2500ум

3. Изготовление кремниевой пластины
Растут вкремния Этот процесс может занять от недели до месяца в зависимости от многих факторов, включая размер, качество и спецификацию. Более 75% всех пластин монокристаллического кремния выращиваются методом Чохральского (CZ).

Supply Single Crystal Silicon Wafer Si Substrate Type N/P for Infrared Optical Materials


4. Оборудование, которое мы используем

Supply Single Crystal Silicon Wafer Si Substrate Type N/P for Infrared Optical Materials


Supply Single Crystal Silicon Wafer Si Substrate Type N/P for Infrared Optical Materials