Подложка шаблона GaN для высокопроизводительных устройств

Продукты

Подложка шаблона GaN для высокопроизводительных устройств

Подложка шаблона GaN для высокопроизводительных устройств

Пластина-шаблон GaN 1. Что такое шаблоны? Мы используем термин «шаблон» для описания нашей продукции, поскольку она отл

Отправьте запрос

ОПИСАНИЕ

Базовая информация
Модель №.FW-КРИСТАЛЛ
Технология изготовленияОптоэлектронный полупроводник
МатериалСложные полупроводники
ВведитеПолупроводник N-типа
УпаковкаСМД
ПриложениеТВ
МаркеФайнвин
материалынитрид галлия
толщина3-4 мкм или 20 мкм
Размер2 дюйма или 4 дюйма
Транспортный пакетЯщик
Спецификация2 ДЮЙМА
товарный знакFineWin
ИсточникЦзяоцзо-Штадт, провинция Хэнань
Производственная мощность1000 штук/месяц
Описание продукта
GaN-шаблон-пластина
1. Что такое шаблоны?
Мы используем термин «шаблон» для описания нашей продукции, поскольку она отличается от подложек. В частности, шаблон представляет собой составную или сконструированную подложку, в которой к исходной подложке добавляются один или несколько слоев.

2.Приложение

Синие и белые светодиоды для освещения помещений, дисплеев и общего использования.

GaN силовые коммутационные устройства

3.Продукт доступен

Шаблоны GaN размером от 2 до 4 дюймов на FSS и PSS
Толстые шаблоны GaN (t=3~20 мкм)
Шаблон GaN с высоколегированным слоем n-типа (n=<1e19/cm).3)
Доступны шаблоны N-типа (нелегированные), N-типа (легированные Si) и P-типа (легированные Mg).
Шаблоны GaN как на сапфировых, так и на кремниевых подложках

4. Особенности
XRD-FWHM002102
3–4 мкм GaN/Сапфир200-300250-450

GaN Template Wafers Substrate for High-Power Device


Плотность дислокаций: 3,5E+08 см-2.

 

5. Спецификация
2-дюймовая спецификация
СтатьяGaN-FS-CU-C50GaN-FS-CN-C50GaN-FS-C-SI-C50
РазмерыФ 50,8 мм ± 1 мм
толщина350 ± 25 мкм
Полезная площадь>90 %
ориентацияПлоскость C (0001) Угол отклонения от оси M 0,35° ± 0,15°
Уровень ориентации(1-100) ± 0,5°, 16,0 ± 1,0 мм
Квартира вторичной ориентации(11-20) ± 3°, 8,0 ± 1,0 мм
Изменение общей толщины≤ 15 мкм
КНИГА≤ 20 мкм
Тип линииN-тип
(Нелегированный)
N-тип
(легированный гелем)
Полуизоляционный
(легированный Fe)
Сопротивление (300К)< 0,5 Ω·cm< 0,05 Ω·cm>106 Ом·см
Плотность дислокаций1~9x105 см-25x105 см-2
~3x106 см-2
1~9x105 см-2
1~3x106 см-21~3x106 см-2
полировкаЛицевая поверхность: Ра< 0,2 nm. Epi-ready poliert
Задняя часть: тонко измельченная
УпаковкаУпакованы в чистых помещениях класса 100, в одиночных пластинчатых контейнерах, в атмосфере азота.

Спецификация 4 дюйма
СтатьяGaN-TCU-C100GaN-TCN-C100
РазмерыФ 100 мм ± 0,1 мм
толщина4 м, 20 м
ориентацияПлоскость C (0001) ± 0,5°
Тип линииN-тип
(Нелегированный)
N-тип
< 0,5 Ω·cm< 0,05 Ω·cm
< 5x1017 cm-3 1x1018 cm-3/td>
90 %/td>


GaN Template Wafers Substrate for High-Power Device